一、电子管单块大比拼（论文文献综述）
王渊[1]（2018）在《电泳—脉冲电沉积Ni-石墨烯纳米复合镀层及其性能研究》文中研究指明镁合金的极易腐蚀及耐磨性差等问题已成为制约其广泛应用的瓶颈。本文采用电泳-脉冲电沉积工艺在镁合金表面分别制备了 Ni-Graphene和Ni-GO-CNTs复合镀层,采用扫描电子显微镜对复合镀层的表面形貌和截面形貌进行了观察,使用XRD对复合镀层的相组成进行了表征,采用拉曼光谱、红外光谱对石墨烯进行了表征,采用显微硬度仪和摩擦磨损试验机对复合镀层的显微硬度和摩擦磨损性能进行了测试,采用电化学工作站对复合镀层的耐蚀性进行了表征。进而研究了占空比和CNTs含量对Ni-Graphene和Ni-GO-CNTs复合镀层微观组织以及耐磨性耐蚀性的影响,以期改善镁合金的耐磨减摩和耐腐蚀性能,拓展镁合金的应用领域。本文的主要研究内容及结论如下:（1）采用电泳沉积的工艺在AZ91D镁合金表面沉积了石墨烯层,分别研究了溶液、分散剂对悬浮液稳定性和分散性的影响,研究了电泳沉积工艺参数对电泳沉积量的影响。最终选择石墨烯分散于无水乙醇中,并添加异丙醇作为分散剂。优化后的电泳沉积工艺参数为:电泳液中石墨烯浓度为0.2 g/L,异丙醇浓度为2 ml/L,沉积电压140 V,沉积时间16 min,沉积温度为室温。（2）采用电泳-脉冲电沉积工艺在镁合金表面制备了 Ni-石墨烯复合镀层。研究了脉冲占空比对复合镀层性能的影响。结果表明,当占空比为60%时,复合镀层的结构致密,显微硬度最高,耐蚀性最好,复合镀层的摩擦磨损性能达到了最佳。（3）研究了电泳液中CNTs浓度对Ni-GO复合镀层性能的影响。结果表明,Ni-GO-CNTs复合镀层的耐磨性随着CNTs浓度的增加先提高后降低。当CNTs含量为0.04 g/L时,复合镀层的摩擦系数和磨损量最低,这主要是因为CNTs与GO产生协同作用,增强了两者的物理化学性能,进而强化了 Ni-GO-CNTs复合镀层的力学性能。另外,由于CNTs具有自润滑和轴承效应,可以进一步降低复合镀层的摩擦系数,最终起到优异的耐磨减摩效果。
崔立[2]（2017）在《透光储能混凝土的制备与性能表征》文中研究表明集热蓄热式太阳能建筑依靠集热蓄热墙的设置最大限度地吸收和储存太阳能,起到降低室内温度波动的作用。但集热蓄热墙的储热能力有限且不透光,造成建筑室内采光不足。为了解决上述问题,本文研制出透光储能混凝土,解决了普通建筑材料储热能力有限且影响室内采光的缺点,对集热蓄热式太阳能建筑的推广使用具有重要的意义。本文采用熔融共混的方法,以低温石蜡为相变材料,低密度聚乙烯（LDPE）为载体材料、石墨粉为导热材料制备出石蜡/LDPE/石墨复合定形相变材料,并通过差式扫描量热分析（DSC）测试和扫描电镜（SEM）测试分析定形相变材料的性能。将制备好的定形相变材料以直接混合的方法加入到水泥基材料中,制备成相变储能砂浆,通过力学性能测试、DSC测试和SEM测试分析相变储能砂浆的最佳配比。并将透光材料掺入相变储能砂浆中,制备出透光储能混凝土,测试透光储能混凝土的力学性能,并制备透光储能混凝土板,将其应用于集热储热太阳能建筑模型中,测试模型节能效果。本文得到的主要研究成果为:（1）采用石蜡/LDPE/石墨复合制备定形相变材料,相变石蜡与低密度聚乙烯（LDPE）比例6:4时,石墨占石蜡和LDPE质量和的4%时,定形相变材料潜热损失率最小,且相变潜热值最高,相变温度最接近相变石蜡的相变温度。（2）采用直接混入法将定形相变材料与水泥砂浆相结合制备出相变储能砂浆,当定形相变材料掺量占水泥质量的40%时,相变储能砂浆在兼顾力学性能的同时相变潜热值最高。相变储能砂浆和普通水泥砂浆在周期为24h的升降温循环里,相变储能砂浆的中心最低温度比水泥砂浆的中心温度高了0.8℃,最低温度出现时间延迟30分钟。（3）将透光树脂材料均布排列在水泥砂浆中制备出透光混凝土,当透光材料形状为长方形,透光面积为25%时,透光混凝土的28d抗压强度最高,达到58.9MPa。（4）将相变储能砂浆与透光材料结合制备出透光储能混凝土,其28d抗折强度和抗压强度分别为2.0MPa和16.2MPa,且透光储能混凝土早期强度发展较快,7d强度可达到28d强度的94.6%。通过模型的升降温循环试验测试,发现透光储能集热蓄热太阳房的室内最低温度比透光集热蓄热太阳房高了1℃,比普通太阳房高了4.6℃。透光储能集热蓄热太阳房的温度波动幅度比透光集热蓄热太阳房的温度波动幅度减小2.7℃,比普通太阳房的温度波动幅度减小10.2℃。透光储能混凝土的应用使集热蓄热墙在储能节能的同时具有透光作用,并可明显减小室内温度的波动幅度,对提高室内热环境的稳定性具有重要的作用。
莫伸[3]（2012）在《一号文件(节选)》文中进行了进一步梳理楔子激动人心的一幕1984年是中华人民共和国建国35周年。这一年的国庆游行,以极其鲜明的特色镌刻进我的记忆。在此之前,所有的国庆游行都依循固定的标准,着装一律,动作统一。而1984年的国庆游行却耳目一新。尤其是大学生的游行队伍,着装并不统一,步伐也不整齐。他们没有按照千篇一律的模式手举鲜花,高呼万岁,走得洒脱而随意——更让人想不到的是,当经过天安门前的金水桥畔时,几位大学生突然将一幅事先准备好的横幅高高地拉开,面向着天安门城楼的观赏台上尽情展示。一刹那间,全中国人民都看见
孙海波[4]（2010）在《ZnO材料的制备及其性能研究》文中研究指明ZnO是一种新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。与GaN材料类似,ZnO具有六方纤锌矿晶体结构和室温禁带宽度为3.37eV的直接带隙。ZnO最显着一个特点就是具有很高的激子束缚能,高达60meV,是GaN （25meV）材料的两倍,也比室温热离化能（26meV）高很多,这就使得在室温或更高温度下激子受激发射存在并具有很高稳定性,从而保证了ZnO在室温低激活能下激子紫外光的发射。此外,ZnO还具有很高的导电、导热性能和化学稳定性及良好的紫外吸收性能,所以ZnO在蓝光和紫光发光二极管、激光器、紫外探测器等光电子器件领域具有很大的潜在应用价值,被认为是极有前景的半导体材料之一与体材料相比,ZnO一维纳米材料表现出独特的物理化学性质,因而在纳米器件领域具有广泛的应用前景。一维ZnO的纳米材料的径向量子限制效应,使得ZnO纳米器件更容易实现室温下有效的紫外受激辐射。另外,由于具有较高表面比率和小的尖端曲率半径,一维ZnO纳米材料和C纳米管一样具有良好的电子场发射性质,然而ZnO具有更好的化学稳定性和对环境的非敏感性,所以将来ZnO基纳米结构在场发射显示器中是碳纳米管的理想替代物。ZnO纳米器件在室温低阀值下实现紫外受激发射十分可能。因此ZnO纳米材料在光电器件领域也有很大应用前景。目前,研究人员对ZnO纳米结构的制备和生长机理的研究有很多,已经采用了各种不同技术制备了各种形貌的ZnO纳米结构,如纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等。在诸多研究中采用最多的是化学合成、MOCVD类似方法,而采用磁控溅射生长纳米结构的报道相对较少。在ZnO微纳结构材料研究中有关结构、形态以及尺度的控制,仍然是个很大的难题。因此,实现可控定向生长高质量的一维ZnO纳米材料是实现蓝紫外发光的一个有效途径,如何实现一维ZnO纳米材料的可控生长越来越受人们的广泛关注。本论文采用磁控溅射、热退火技术在Au点阵模板上生长了ZnO单晶堆垒纳米棒,一定程度上实现了模板对ZnO材料生长的调控,并在此基础上实现了ZnO材料的稀土Eu掺杂。文中主要通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM和HRTEM）、X射线能谱（EDS）、傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）及光致发光谱（PL）等测试手段分析了不同生长条件对生成产物结构成分、表面形貌和发光特性的影响。主要内容如下：1.ZnO单晶堆垒纳米棒的合成首先,采用直流溅射技术在Si（111）衬底上制备Au薄膜,然后Ar气氛下900℃高温退火生成了简易Au点阵模板。通过SEM观察发现在此模板表面覆盖大量Au点阵,且大小均匀。通过Au不同溅射时间的对比,发现Au溅射5秒后生成的模板,Au直径较小,点阵密度较大,更适合做ZnO材料的生长模板。在Au点阵模板上利用二次磁控溅射ZnO薄膜50分钟,然后置于石英管式炉中O2气氛下退火生成了ZnO单晶堆垒纳米结构。采用XRD、SEM、HRTEM、FTIR、XPS、PL等对样品的结构、形貌和光学性质进行详细研究,分析了各种不同退火条件和不同生长模板对ZnO单晶堆垒纳米棒的影响。结果表明,退火温度对ZnO纳米棒的形貌和结晶质量有很大影响。随着温度的升高,纳米棒的直径由大变小,而后又变大,在温度为1000℃时直径最小。ZnO结晶质量也有类似的变化规律。这种变化我们认为是不同温度下原子迁移率不同造成的。由于ZnO典型的极性结构,随着温度升高,原子迁移率增加,原子更多的按[0001]单一方向排列,从而使纳米棒直径变细,结晶质量提高。但是当温度升高到一定值时,原子迁移率影响已经超过ZnO自身极性结构的影响,从而导致原子的横向移动增加,因而纳米棒变粗,结晶质量下降。退火时间对ZnO纳米棒生长也有重要影响。随着退火时间增加,纳米棒逐渐从杂乱到有序,从有序到相互之间粘合。时间较短,原子没有足够时间移动到一个Au点阵控制的有序状态,而时间太长会造成原子直径方向的生长增加,从而出现纳米棒直径增加而相互粘合。不同气氛下退火对ZnO生长的影响是与气氛中O的含量有关,只有在富氧气氛下退火,ZnO晶粒数量才会更多,ZnO的重新结晶才会完全,从而生成的ZnO棒结晶质量才高。退火气体流量不同对ZnO棒的生成没有很明显的影响。通过分析最后找到了ZnO单晶堆垒纳米棒最佳退火条件：O2气氛下1000℃高温退火20分钟。在此最佳退火生长条件下,重新生长了ZnO单晶堆垒纳米棒,采用各种测试手段,详细分析了生成物的结构形貌和光学性质。结果表明,实验条件下制备的ZnO纳米棒是由许多六方纤锌矿结构的单晶块沿[0001]方向堆垒而成,纳米棒排列紧凑,排列密度大,一定程度上依模板有序。光致发光谱表明在380nm附近出现由ZnO带边发射引起的近紫外发光和在500nm附近出现由缺陷引起的绿光发光,说明样品具有较好的发光性质。Au点阵衬底在ZnO纳米棒生长过程中起到了一定的可控作用,可以作为一种ZnO纳米材料生长的简单易行的模板。2.一维稀土Eu掺杂ZnO虫状结构的制备在Au点阵模板上利用磁控溅射采用交替共溅技术分别溅射Eu稀土靶和ZnO烧结靶,获得交替层状薄膜结构,然后在石英管式炉中O2气氛高温退火生成了稀土Eu掺杂ZnO虫状结构。通过各种测试手段详细分析了制备的Eu掺杂ZnO材料的形貌、成分以及掺杂剂对ZnO发光特性的影响。SEM测试结果表明生成产物呈现虫状弯曲结构,直径为80-120纳米,长度在微米数量级,在900℃和1000℃退火条件下样品形貌无明显变化。XPS和能量谱（EDS）分析结果表明稀土Eu掺杂量很小,原子个数比小于1%。XRD及HRTEM分析结果表明,稀土Eu的掺杂从晶体结构上引起了晶面间距的变宽,并且还出现了两种晶体结构。1000℃退火生成比较多的是单晶堆垒结构,而900℃退火生成较多的晶粒堆积结构。这也正好说明了ZnO生成是一个从晶粒堆积慢慢转变成单晶堆垒的过程。系列测试结果都表明该方法合成了稀土Eu掺杂的ZnO材料。通过PL谱分析发现,掺杂Eu后ZnO在380nm附近紫外发光峰强度变弱,而在500nm附近的绿光发光峰强度增强了很多。Eu掺入ZnO后,会形成等电子陷阱或复合中心,会增加内部缺陷。并且还会增加锌填隙原子（Zni）和氧空位（VO）的生成,这些缺陷对绿光发射都会起到加强作用。PL谱测试中在615.9nm处还发现了Eu元素4f壳层电子从5D0到7F2的特征跃迁,这也进一步说明了稀土Eu的有效掺杂。3.外加磁场控制ZnO材料的生长以带电粒子在电磁场中的运动理论为依据,在磁控溅射系统中基片下外加一磁场,来改变空间的磁场分布,进而改变磁控溅射沉积参数,达到影响材料生长的目的。在外场影响下,首先在Si（111）衬底上射频磁控溅射ZnO薄膜,溅射后就发现样品与没有磁场相比有明显区别,溅射厚度明显增加。然后将溅射后样品在管式炉中高温退火生长ZnO薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、金相显微镜等来观察磁场对ZnO材料的影响。测试结果表明,外加磁场后大大提高了磁控溅射速率,薄膜结晶程度也得以提高。经过退火后的ZnO薄膜为高度结晶的六方纤锌矿单晶。金相显微镜测试结果表明ZnO由于自身极性存在,外加磁场后大大改变了ZnO材料表面形貌分布。4.ZnO单晶堆垒结构生长机理的初步探讨结合ZnO材料制备过程的结果分析,初步探讨了ZnO单晶堆垒结构的生长机理。在ZnO棒状结构顶端没有发现金属Au液滴的存在,说明生长机理不属于VLS机制。从SEM结果发现,Au点阵模板对ZnO单晶堆垒结构生成起了至关重要的作用。综合分析认为生长过程分为两步：ZnO小晶粒的生成和ZnO单晶的堆垒。生长开始,熔融的金属Au液滴在衬底表面改变了能量分布从而产生大量缺陷,这些缺陷成为ZnO生长良好的成核点。由于ZnO独特的极性晶体特性,形成许多极性小晶粒。为了减小极化表面能,一种可能就是在长程静电力作用下,带正电荷Zn-（0001）面和带负电荷O-（0001）面发生电荷中和,这种电荷的中和就形成了沿[0001]方向排列的单晶堆垒结构。然而详细的生长机理还需要进一步详细的分析研究。
G2编辑部[5]（2004）在《Mesa/Boogie V-Twin测评》文中研究表明在第一期的文章中有一篇文章《6款电子管单块大比拼》,引起了广大读者对此类产品的兴趣。很多读者通过不同方法联系编辑部,想得知购买地点。但通过一番市场调研,时至今日我们仍未能给大家一个满意的答复,在表示抱歉的同时我们刊登此文,以便那些对此产品感兴趣的读者能更详细了解到此产品的特性,并避免盲目购买的可能。
邢京[6]（2004）在《电子管单块大比拼》文中研究指明 你是否曾经有过一个音箱,它能够产生非常酷的干琴音色,然而过载音色却没有了竞争力,不是十分理想?你是否想要在你的模拟音箱或者数字音频工作站前加入一些真实的电子管音色?如果你回答是或者只对其中一种感兴趣,或者你希望为声波的频谱加载一些新的色彩,那么拥有一块强大的电子管失真踏板效果器将是你
王天明[7]（2003）在《多通道通用数据采集系统的设计与实现》文中研究表明近年来，水下导航、海洋探测、水下目标定位以及水下通信等领域迅猛发展，这些领域常常使用水声信号作为信息传输的载体。水声信号数据采集装置对于水声试验来说是不可缺少的，因此研制一套高性能的、能够适应水声信号特点的数据采集系统十分必要。水声信号在水中传播时，水中的自然环境极其复杂，要求所采用的数据采集器能够适应水下恶劣的自然环境，不但具有较大的动态范围，所采集信号的幅度范围要尽可能的宽，而且试验现场的数据量很大，常常需要很多通道同时进行数据采集，这样一来，对数据采集器提出了相当高的要求。另外，从节约成本的角度考虑，又要求所采用的系统应该具有一定的通用性和灵活的扩展能力。本论文所要完成的工作正是基于这一目的而展开的。 本论文阐述了一套基于DSP与FPGA的多通道通用数据采集系统的设计过程。该系统采用目前广泛使用的TI公司的DSP芯片TMS320VC5402和ALTERA公司的FPGA芯片EPF10K50E作为核心控制部分，完成整个系统的数据处理、数据传输以及逻辑控制功能。此外，本系统还采用了多种具有数字接口的IC芯片，使得整个系统不但具有很高的数据传输速度，而且具有很高的通用性和灵活性。 本论文的研究内容包括：1．系统总体硬件电路方案的设计。包括模拟部分、数字部分以及其它硬件接口电路的设计。2．系统中的可编程逻辑器件的硬件逻辑设计。采用VHDL语言对FPGA和CPLD进行逻辑设计。3．系统中DSP的软件设计。包括DSP程序设计、DSP程序的上电加载。
白春丽[8]（1980）在《模拟集成电路及其在仪器仪表中的应用》文中认为本文主要介绍了三个方面:一、什么是模拟集成电路,与分立元件相比有什么优点及应用的历史。二、在仪表中常用的几种模拟集成电路及国外典型产品参数水平。三、仪表中的情况及经济效果。
二、电子管单块大比拼（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子管单块大比拼（论文提纲范文）
（1）电泳—脉冲电沉积Ni-石墨烯纳米复合镀层及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 镁及镁合金 |
| 1.3 镁合金的防护 |
| 1.3.1 提高镁合金的纯度和研发新的合金 |
| 1.3.2 采用快速凝固制备技术 |
| 1.3.3 镁合金的表面处理技术 |
| 1.4 碳纳米材料 |
| 1.4.1 石墨烯及碳纳米管 |
| 1.4.2 碳纳米材料应用 |
| 1.5 电泳沉积技术 |
| 1.5.1 电泳沉积技术概述 |
| 1.5.2 悬浮液稳定机制 |
| 1.5.3 电泳沉积技术的原理 |
| 1.6 本文研究目的 |
| 1.7 本文研究内容 |
| 2 实验材料与方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.4 复合镀层的表征方法 |
| 2.4.1 石墨烯的表征 |
| 2.4.2 复合镀层的微观形貌观察 |
| 2.4.3 复合镀层硬度测试 |
| 2.4.4 摩擦磨损性能测试 |
| 2.4.5 电化学测试 |
| 3 电泳沉积石墨烯工艺参数的优化 |
| 3.1 电泳液的配置 |
| 3.1.1 分散介质 |
| 3.1.2 分散剂 |
| 3.2 电泳沉积工艺参数的优化 |
| 3.2.1 沉积电压对电泳沉积量的影响 |
| 3.2.2 沉积时间对电泳沉积量的影响 |
| 3.2.3 沉积温度对电泳沉积量的影响 |
| 3.2.4 石墨烯浓度对电泳沉积量的影响 |
| 3.3 电泳后石墨烯表面形貌分析 |
| 3.4 石墨烯结构分析 |
| 3.4.1 XRD表征 |
| 3.4.2 傅里叶红外光谱 |
| 3.4.3 拉曼光谱 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 占空比对Ni-Graphene复合镀层的组织结构与性能的影响 |
| 4.1 占空比对Ni-Graphene复合镀层组织形貌的影响 |
| 4.2 Ni-Graphene复合镀层物相分析 |
| 4.3 占空比对Ni-Graphene复合镀层显微硬度的影响 |
| 4.4 占空比对Ni-Graphene复合镀层摩擦磨损性能的影响 |
| 4.5 占空比对Ni-Graphene复合镀层耐蚀性的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 CNTs浓度对Ni-GO-CNTs复合镀层组织结构与性能的影响 |
| 5.1 CNTs浓度对Ni-GO-CNTs复合镀层的组织形貌的影响 |
| 5.2 CNTs浓度对Ni-GO-CNTs复合镀层显微硬度的影响 |
| 5.3 CNTs浓度对Ni-GO-CNTs复合镀层摩擦磨损性能的影响 |
| 5.4 Ni-GO-CNTs复合镀层摩擦机理探讨 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 本文主要结论和对未来工作的建议 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 对未来工作的建议 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（2）透光储能混凝土的制备与性能表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 相变储能材料 |
| 1.2.1 相变材料的分类 |
| 1.2.2 应用于建筑的相变材料性能要求 |
| 1.2.3 相变建筑材料的制备方法 |
| 1.3 透光混凝土 |
| 1.4 透光储能混凝土的研究现状 |
| 1.4.1 定形相变材料 |
| 1.4.2 相变储能混凝土 |
| 1.4.3 透光混凝土 |
| 1.5 主要研究内容与技术路线 |
| 1.5.1 课题主要的研究内容 |
| 1.5.2 研究的技术路线 |
| 2 试验原材料及试验方法 |
| 2.1 试验原材料 |
| 2.2 试验仪器及方法 |
| 2.2.1 试验仪器 |
| 2.2.2 测试方法 |
| 3 相变材料的封装及其与水泥基材料复合性能研究 |
| 3.1 相变材料的封装及性能分析 |
| 3.1.1 相变材料的选择 |
| 3.1.2 定形相变材料的试验研究分析 |
| 3.2 相变储能砂浆的制备 |
| 3.3 相变储能砂浆的性能测试分析 |
| 3.3.1 力学性能测试分析 |
| 3.3.2 微观分析 |
| 3.3.3 DSC测试分析 |
| 3.3.4 储热性能测试分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 透光材料的制备及其与水泥基材料复合性能研究 |
| 4.1 透光材料 |
| 4.1.1 透光材料的选择 |
| 4.1.2 透光树脂材料的制备 |
| 4.2 透光混凝土的制备 |
| 4.2.1 早强自密实砂浆基体材料的制备 |
| 4.2.2 透光混凝土的配合比设计 |
| 4.2.3 试验步骤 |
| 4.3 透光混凝土的力学性能测试分析 |
| 4.3.1 透光材料掺量对透光混凝土抗压强度的影响 |
| 4.3.2 透光材料形状对透光混凝土抗压强度的影响 |
| 4.3.3 自密实砂浆强度与透光混凝土强度的关系 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 透光储能混凝土的制备与性能分析 |
| 5.1 透光储能混凝土的力学性能测试分析 |
| 5.1.1 透光储能混凝土力学测试试件的制备 |
| 5.1.2 透光储能混凝土的力学性能测试 |
| 5.2 透光储能混凝土的调温能效分析 |
| 5.2.1 透光储能混凝土板的制备 |
| 5.2.2 集热蓄热式太阳房模型设计与测试 |
| 5.2.3 透光储能混凝土热调节分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在校学习期间所发表的论文、专利 |
（4）ZnO材料的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 ZnO材料的结构和性质 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 |
| 1.2.2 ZnO的晶体结构 |
| 1.2.3 ZnO的能带结构 |
| 1.2.4 ZnO典型的生长结构 |
| 1.2.5 ZnO的电学性质 |
| 1.2.6 ZnO的光学性质 |
| 1.2.7 ZnO的磁学性质 |
| 1.3 ZnO材料的缺陷与掺杂 |
| 1.3.1 ZnO中的本征缺陷 |
| 1.3.2 ZnO中的杂质缺陷 |
| 1.3.3 本征ZnO的弱N型导电 |
| 1.3.4 ZnO的掺杂 |
| 1.4 ZnO材料的形态及其制备方法 |
| 1.4.1 ZnO单晶及其制备 |
| 1.4.2 ZnO薄膜及其制备 |
| 1.4.3 ZnO纳米结构 |
| 1.4.4 ZnO纳米材料的制备方法 |
| 1.5 ZnO材料的应用 |
| 1.5.1 ZnO光电器件 |
| 1.5.2 ZnO压电器件 |
| 1.5.3 ZnO太阳能电池 |
| 1.5.4 ZnO气敏元件 |
| 1.6 研究课题选取依据及主要研究内容 |
| 1.6.1 研究课题选取依据 |
| 1.6.2 本文主要研究内容 |
| 第二章 实验技术设备及测试表征方法 |
| 2.1 实验技术设备 |
| 2.1.1 磁控溅射系统 |
| 2.1.2 高温退火系统 |
| 2.1.3 实验中所需要的主要材料和试剂 |
| 2.1.4 衬底材料及其处理 |
| 2.2 测试表征方法 |
| 2.2.1 样品结构成分测试 |
| 2.2.2 样品表面形貌测试 |
| 2.2.3 样品光学性质测试 |
| 第三章 Au点阵模板制备ZnO单晶堆垒纳米棒的研究 |
| 3.1 Au点阵模板的制备 |
| 3.2 ZnO单晶堆垒纳米棒的制备 |
| 3.3 退火条件对ZnO纳米棒结构形貌的影响 |
| 3.3.1 退火温度对ZnO纳米棒的影响 |
| 3.3.2 退火时间对ZnO纳米棒的影响 |
| 3.3.3 退火气氛对ZnO纳米棒的影响 |
| 3.3.4 气体流量对ZnO纳米棒的影响 |
| 3.4 Au点阵模板对ZnO纳米棒结构及性质的影响 |
| 3.4.1 Au点阵模板扫描电镜(SEM)分析 |
| 3.4.2 ZnO样品扫描电镜(SEM)分析 |
| 3.4.3 ZnO样品X射线衍射(XRD)分析 |
| 3.4.4 ZnO样品傅里叶变换红外(FTIR)分析 |
| 3.4.5 ZnO样品光致发光(PL)分析 |
| 3.5 最佳条件生长ZnO纳米棒的结构特性和光学性质 |
| 3.5.1 扫描电镜(SEM)分析 |
| 3.5.2 X射线衍射(XRD)分析 |
| 3.5.3 高分辨透射电镜(HRTEM)分析 |
| 3.5.4 傅里叶变换红外(FTIR)分析 |
| 3.5.5 X射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 3.5.6 光致发光(PL)分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 稀土Eu掺杂ZnO材料的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备的实验工艺 |
| 4.2.1 Au点阵模板制备 |
| 4.2.2 稀土Eu掺杂ZnO材料制备 |
| 4.3 稀土Eu掺杂样品的测试与表征 |
| 4.4 稀土Eu掺杂样品的结构形貌分析 |
| 4.4.1 X射线衍射(XRD)分析 |
| 4.4.2 扫描电镜(SEM)分析 |
| 4.4.3 X射线能谱(EDS)分析 |
| 4.4.4 高分辨透射电镜(HRTEM)分析 |
| 4.4.5 X射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 4.5 稀土Eu掺杂样品的发光性质研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 磁场控制ZnO材料的生长研究 |
| 5.1 磁控溅射的基本原理 |
| 5.2 恒定电场和磁场中带电粒子的运动 |
| 5.2.1 恒定电磁场中带电粒子的运动 |
| 5.2.2 磁镜场中带电粒子的运动 |
| 5.2.3 磁场在磁控溅射中的作用 |
| 5.3 外加磁场条件下ZnO薄膜的制备 |
| 5.3.1 样品的制备与表征 |
| 5.3.2 外加磁场对未退火样品形貌的影响 |
| 5.3.3 外加磁场对未退火样品结晶度影响 |
| 5.3.4 外加磁场对溅射膜厚的影响 |
| 5.4 退火后ZnO薄膜特性分析 |
| 5.4.1 X射线衍射(XRD)分析 |
| 5.4.2 X射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 5.4.3 光致发光(PL)谱分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 ZnO单晶堆垒纳米棒生长机理初探 |
| 6.1 金属氧化物纳米材料生长机制 |
| 6.2 ZnO单晶堆垒纳米棒生长机制 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 本论文主要研究结果 |
| 7.2 对以后工作的建议及展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 |
| 致谢 |
（7）多通道通用数据采集系统的设计与实现（论文提纲范文）
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 数据采集系统中芯片的发展 |
| 1.2.1 模拟IC的发展 |
| 1.2.2 数字IC的发展 |
| 1.3 论文研究内容 |
| 1.4 论文结构 |
| 第2章 多路数据采集系统 |
| 2.1 系统总体说明 |
| 2.2 系统指标及总体结构 |
| 2.2.1 系统功能 |
| 2.2.2 系统技术指标 |
| 2.2.3 系统总体结构 |
| 2.3 器件的选择 |
| 2.3.1 数字信号处理器(DSP)概述 |
| 2.3.2 现场可编程门阵列(FPGA)概述 |
| 2.3.3 IDE磁盘阵列接口 |
| 2.3.4 USB2.0总线概述 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 硬件电路设计 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 前端模拟电路的设计 |
| 3.2.1 放大电路的设计 |
| 3.2.2 滤波电路的设计 |
| 3.2.3 A／D转换电路的设计 |
| 3.2.4 二级数据缓冲电路的设计 |
| 3.3 主控制电路的设计 |
| 3.3.1 DSP与FPGA接口设计 |
| 3.3.2 FPGA与IDE磁盘阵列、USB2.0接口设计 |
| 3.3.3 FPGA与前端模拟电路接口设计 |
| 3.3.4 FPGA与液晶显示电路接口设计 |
| 3.3.5 FPGA与键盘电路的接口设计 |
| 3.4 DSP的外部程序存储器接口设计 |
| 3.4.1 FLASH简介 |
| 3.4.2 接口设计 |
| 3.5 DSP的外部数据存储器接口设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 FPGA与CPLD的逻辑设计 |
| 4.1 VHDL语言 |
| 4.1.1 VHDL设计流程 |
| 4.1.2 VHDL语言优化设计方法 |
| 4.2 EPF10K50E的逻辑设计 |
| 4.2.1 FPGA与DSP之间的内部逻辑设计 |
| 4.2.2 FPGA与CPLD之间接口的内部逻辑设计 |
| 4.2.3 FPGA与液晶显示控制器接口的内部逻辑设计 |
| 4.2.4 FPGA与键盘控制器接口的内部逻辑设计 |
| 4.2.5 FPGA与数据传输接口的内部逻辑设计 |
| 4.3 EPM7256A的逻辑设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 系统软件设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 DSP软件设计 |
| 5.2.1 DSP内存单元的分配 |
| 5.2.2 主控制程序 |
| 5.2.3 系统参数计算子程序 |
| 5.2.4 液晶显示器管理子程序 |
| 5.2.5 系统采样管理子程序 |
| 5.2.6 键盘子程序 |
| 5.3 软件引导模式 |
| 5.3.1 引言 |
| 5.3.2 BOOTLOADER引导模式选择 |
| 5.3.3 标准并行引导模式 |
| 5.3.4 引导表的建立 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 |
| 致谢 |
| 附录A 数据采集系统的PCB板 |
四、电子管单块大比拼（论文参考文献）
- [1]电泳—脉冲电沉积Ni-石墨烯纳米复合镀层及其性能研究[D]. 王渊. 西安科技大学, 2018(12)
- [2]透光储能混凝土的制备与性能表征[D]. 崔立. 西安理工大学, 2017(08)
- [3]一号文件(节选)[J]. 莫伸. 中国作家, 2012(24)
- [4]ZnO材料的制备及其性能研究[D]. 孙海波. 山东师范大学, 2010(12)
- [5]Mesa/Boogie V-Twin测评[J]. G2编辑部. 吉他平方, 2004(03)
- [6]电子管单块大比拼[J]. 邢京. 吉他平方, 2004(01)
- [7]多通道通用数据采集系统的设计与实现[D]. 王天明. 哈尔滨工程大学, 2003(04)
- [8]模拟集成电路及其在仪器仪表中的应用[J]. 白春丽. 仪器制造, 1980(03)